Skriv ut side
FDT86113LZ
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 3.3 A, 0.1 ohm, SOT-223, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
6 714 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 17,030 |
| 50+ | kr 10,680 |
| 250+ | kr 7,110 |
| 1000+ | kr 4,910 |
| 2000+ | kr 4,710 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 85,15 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDT86113LZ
Varenummer2083343
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id3.3A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2.2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The FDT86113LZ is a N-channel Logic Level MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been special tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The G-S Zener has been added to enhance ESD voltage level.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- 100% UIL tested
- <gt/>3KV typical HBM ESD protection level
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Tilknyttede produkter
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000363
Produktsporbarhet