Skriv ut side
FFSD08120A
Silicon Carbide Schottky Diode, EliteSiC, EliteSiC Series, Single, 1.2 kV, 8 A, 55 nC
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFFSD08120A
Varenummer2895645RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
679 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 32,070 |
| 500+ | kr 29,430 |
| 1000+ | kr 28,850 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 3 247,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFFSD08120A
Varenummer2895645RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
Product RangeEliteSiC Series
Diode ConfigurationSingle
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current8A
Total Capacitive Charge55nC
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max175°C
Diode MountingSurface Mount
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.
- Max Junction Temperature 175°C
- AEC−Q101 qualified
- Avalanche Rated 200 mJ
- No Reverse Recovery/No Forward Recovery
- Ease of Paralleling
- High Surge Current Capacity
- Positive Temperature Coefficient
Tekniske spesifikasjoner
Product Range
EliteSiC Series
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Total Capacitive Charge
55nC
No. of Pins
3 Pin
Diode Mounting
Surface Mount
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Diode Configuration
Single
Average Forward Current
8A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.0001
Produktsporbarhet