Skriv ut side
FQD16N25CTM
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 16 A, 0.22 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
4 941 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 14,810 |
| 10+ | kr 10,700 |
| 100+ | kr 8,290 |
| 500+ | kr 6,680 |
| 1000+ | kr 6,100 |
| 5000+ | kr 4,940 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 14,81 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFQD16N25CTM
Varenummer2101411
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation160W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The FQD16N25CTM is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC) and electronic lamp ballasts.
- 100% avalanche tested
- 41nC typical low gate charge
- 68pF typical low Crss
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
160W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000391
Produktsporbarhet