Skriv ut side
MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
12 625 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 14,430 |
| 50+ | kr 9,520 |
| 100+ | kr 6,620 |
| 500+ | kr 5,190 |
| 1000+ | kr 4,640 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 72,15 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerMJD122T4G
Varenummer2317578
Teknisk datablad
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transition Frequency4MHz
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Applikasjoner
Industrial, Power Management, Automotive
Tekniske spesifikasjoner
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for MJD122T4G
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00033
Produktsporbarhet