Skriv ut side
NVMFD5C680NLT1G
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 26 A, 26 A, 0.023 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
1 252 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 18,490 |
| 10+ | kr 13,070 |
| 100+ | kr 9,660 |
| 500+ | kr 7,900 |
| 1000+ | kr 7,560 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 18,49 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerNVMFD5C680NLT1G
Varenummer2835612
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel26A
Continuous Drain Current Id P Channel26A
Drain Source On State Resistance N Channel0.023ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.023ohm
Transistor Case StyleDFN
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel19W
Power Dissipation P Channel19W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
NVMFD5C680NLT1G is a dual N-channel power MOSFET. It has low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and capacitance to minimize driver losses.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source breakdown voltage is 60V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Negative threshold temperature coefficient is -4.3mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Drain-to-source on resistance is 23mohm typical at (VGS = 10V, ID = 5A)
- Input capacitance is 350pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Gate-to-drain charge is 0.8nC typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V; ID = 10A)
- Turn-on delay time is 6.4ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Rise time is 25ns typical at (VGS = 4.5V, VDS = 48V, ID = 10A, RG = 1ohm)
- Junction temperature range from -55°C to +175°C, DFN8 package
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
26A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.023ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
19W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
26A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.023ohm
Transistor Case Style
DFN
Power Dissipation N Channel
19W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000012
Produktsporbarhet