Skriv ut side
NXV08V110DB1
MOSFET Transistor, 80 V, 0.0017 ohm, 10 V, 4 V
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Tilgjengelig for bestilling
Produsentens standard leveringstid: 12 uke(r)
| Antall | |
|---|---|
| 44+ | kr 242,470 |
Pris for:Tube of 1
Minst: 44
Flere: 44
kr 10 668,68 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerNXV08V110DB1
Varenummer3617528
Teknisk datablad
Channel Type-
Continuous Drain Current Id-
Drain Source Voltage Vds80V
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (14-Jun-2023)
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
-
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (14-Jun-2023)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (14-Jun-2023)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.1
Produktsporbarhet