Skriv ut side
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDD8N50NZTM
Varenummer3368739
ProduktsortimentUniFET II
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id6.5A
Drain Source On State Resistance0.77ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation90W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeUniFET II
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternativer for FDD8N50NZTM
1 produkt funnet
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
90W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.77ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
UniFET II
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.0004