Skriv ut side
FDG6322C
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
5 630 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 7,150 |
| 10+ | kr 4,400 |
| 100+ | kr 2,900 |
| 500+ | kr 2,210 |
| 1000+ | kr 1,890 |
| 5000+ | kr 1,420 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 35,75 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDG6322C
Varenummer2464123
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Drain Source On State Resistance N Channel2.6ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.6ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel300mW
Power Dissipation P Channel300mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The FDG6322C is a dual N/P-channel logic level enhancement-mode MOSFET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
- Very small package outline
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits (VGS (th) <lt/>1.5V)
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance P Channel
2.6ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
300mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.6ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.009072
Produktsporbarhet