Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
44 328 På Lager
18 000 Du kan reservere varen nå
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Antall | |
---|---|
5+ | kr 2,760 |
50+ | kr 1,210 |
100+ | kr 0,771 |
500+ | kr 0,714 |
1500+ | kr 0,678 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 13,80 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFDV301N
Varenummer9845011
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source On State Resistance4ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.06V
Power Dissipation350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The FDV301N is a surface mount, N channel logic level enhancement mode digital FET in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance, this one N channel FET can replace several different digital transistors with different bias resistor values. FDV301N is suitable for low voltage and power management applications.
- Drain to source voltage (Vds) of 25V
- Gate to source voltage of 8V
- Continuous drain current (Id) of 220mA
- Power dissipation (Pd) of 350mW
- Low on state resistance of 3.1ohm at Vgs 4.5V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
220mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.06V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Alternativer for FDV301N
1 produkt funnet
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000033