Skriv ut side
FQA46N15
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-3PN, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
888 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 30,800 |
| 10+ | kr 26,680 |
| 100+ | kr 26,210 |
| 500+ | kr 21,510 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 30,80 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerFQA46N15
Varenummer2322622
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-3PN
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (17-Jan-2022)
Alternativer for FQA46N15
1 produkt funnet
Produktoversikt
The FQA46N15 is a 150V N-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 85nC)
- Low Crss (typical 100pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate source voltage
- 40°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.6°C/W thermal resistance, junction to case
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-3PN
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (17-Jan-2022)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2022)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.007091
Produktsporbarhet