Skriv ut side
MMBF170
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
10 440 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 2,910 |
| 50+ | kr 1,850 |
| 100+ | kr 0,888 |
| 500+ | kr 0,865 |
| 1500+ | kr 0,847 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 14,55 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerMMBF170
Varenummer9845399
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id500mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation300mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The MMBF170 is a surface mount, N channel enhancement mode field effect transistors in SOT-23 package. This device features high cell density, DMOS technology which has been especially tailored to minimize the onstate resistance and provide superior switching performance and high avalanche energy strength. This device is suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- High density cell design for low Rds(ON)
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
- Drain to source voltage (Vds) of 60V
- Gate to source voltage of ±20V
- Continuous drain current (Id) of 500mA
- Power dissipation (Pd) of 300mW
- Low on state resistance of 1.2ohm at Vgs 10V
- Operating temperature range -55°C to 150°C
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
500mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (1)
Alternativer for MMBF170
3 produkter funnet
Tilknyttede produkter
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000037
Produktsporbarhet