Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
6 000 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Antall | |
---|---|
3000+ | kr 1,060 |
9000+ | kr 1,010 |
Pris for:Each (Supplied on Full Reel)
Minst: 1
Flere: 1
--
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerMMBFJ309LT1G
Varenummer2442050
Teknisk datablad
Gate Source Breakdown Voltage Max-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min12mA
Zero Gate Voltage Drain Current Max30mA
Gate Source Cutoff Voltage Max-4V
Transistor Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Operating Temperature Max150°C
Transistor TypeJFET
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The MMBFJ309LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The device offers interchangeable drain and source, space saving surface-mount package. The Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life.
- 25VDC Drain-source voltage
- 25VDC Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Gate Source Breakdown Voltage Max
-25V
Zero Gate Voltage Drain Current Max
30mA
Transistor Case Style
SOT-23
Operating Temperature Max
150°C
Channel Type
N Channel
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
12mA
Gate Source Cutoff Voltage Max
-4V
No. of Pins
3 Pin
Transistor Type
JFET
Transistor Mounting
Surface Mount
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for MMBFJ309LT1G
2 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001
Produktsporbarhet