Skriv ut side
QRD1113
Reflective Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 1.27 mm, 50 mA, 5 Vr, 1.7 Vf
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
102 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 12,300 |
| 10+ | kr 10,450 |
| 25+ | kr 10,300 |
| 50+ | kr 10,140 |
| 100+ | kr 9,990 |
| 500+ | kr 9,290 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 12,30 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerQRD1113
Varenummer1467857
Teknisk datablad
Sensing MethodReflective
Sensing Distance / Slot Width-
Supply Voltage Min-
Sensing Distance1.27mm
Forward Current If50mA
Supply Voltage Max-
Sensor Case / PackageModule
Reverse Voltage Vr5V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max30V
Forward Voltage1.7V
Collector Current IC Max0.3mA
Sensor Output TypePhototransistor
IP Rating-
Sensor MountingThrough Hole
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktoversikt
The QRD1113 is a 1.27mm Reflective Object Sensor with an infrared emitting diode and an NPN silicon phototransistor mounted side by side in a black plastic housing. The on-axis radiation of the emitter and the on-axis response of the detector are both perpendicular to the face. The phototransistor responds to radiation emitted from the diode only when a reflective object or surface is in the field of view of the detector.
- No-contact surface sensing
- Unfocused for sensing diffused surfaces
- Daylight filter on sensor
- -40 to 85°C Operating temperature range
Applikasjoner
Sensing & Instrumentation
Tekniske spesifikasjoner
Sensing Method
Reflective
Supply Voltage Min
-
Forward Current If
50mA
Sensor Case / Package
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Forward Voltage
1.7V
Sensor Output Type
Phototransistor
Sensor Mounting
Through Hole
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Sensing Distance / Slot Width
-
Sensing Distance
1.27mm
Supply Voltage Max
-
Reverse Voltage Vr
5V
Collector Emitter Voltage Max
30V
Collector Current IC Max
0.3mA
IP Rating
-
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000431
Produktsporbarhet