Skriv ut side
SKM150GB12V
IGBT Module, Half Bridge, 231 A, 1.75 V, 175 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
14 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 1 705,000 |
| 5+ | kr 1 607,000 |
| 10+ | kr 1 503,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 1 705,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSEMIKRON
Produsentens varenummerSKM150GB12V
Varenummer2423689
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current231A
Continuous Collector Current231A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation-
Power Dissipation Pd-
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyV-IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktoversikt
The SKM150GB12V is a SEMITRANS® 2 IGBT Module for use with AC inverter drives and electronic welders. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Copper Bonding) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- V-IGBT = 6th generation Trench V-IGBT (Fuji)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- Lowest switching losses at high di/dt
- UL recognized, file number E63532
Applikasjoner
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Operating Temperature Max
175°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
231A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
V-IGBT
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Tilknyttede produkter
4 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.18
Produktsporbarhet