Skriv ut side
SKM200GB125D
IGBT Module, Half Bridge, 200 A, 3.3 V, 150 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
1 På Lager
7 Du kan reservere varen nå
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 3 751,000 |
| 5+ | kr 3 745,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 3 751,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSEMIKRON
Produsentens varenummerSKM200GB125D
Varenummer2423692
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current200A
Continuous Collector Current200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.3V
Collector Emitter Saturation Voltage3.3V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Ultrafast]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktoversikt
The SKM200GB125D is a SEMITRANS® 3 ultrafast IGBT Module for use with inductive heating and resonant inverters up to 100kHz. It features isolated copper base plate using DCB (Direct Copper Bonding) technology and short tail current with low temperature dependence.
- Half-bridge switch
- N channel, homogeneous Si
- Low inductance case
- High short-circuit capability, self limiting to 6 x IC
- Fast and soft inverse CAL diodes
- Large clearance (13mm) and creepage distance (20mm)
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.3V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
7Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
200A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.3V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT IGBT [Ultrafast]
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SKM200GB125D
1 produkt funnet
Tilknyttede produkter
4 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.18
Produktsporbarhet