Skriv ut side
SKM200GB12T4
IGBT Module, Half Bridge, 313 A, 1.8 V, 175 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
6 På Lager
12 Du kan reservere varen nå
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 2 334,000 |
| 5+ | kr 2 200,000 |
| 10+ | kr 2 058,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 2 334,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSEMIKRON
Produsentens varenummerSKM200GB12T4
Varenummer2423694
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Transistor PolarityDual N Channel
DC Collector Current313A
Continuous Collector Current313A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.8V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 Fast [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
Produktoversikt
The SKM200GB12T4 is a SEMITRANS® 3 fast IGBT Module for use with AC inverter drives and UPS. It features insulated copper base plate using DBC technology (Direct Bonded Copper) and increased power cycling capability.
- Half-bridge switch
- IGBT4 = 4th generation medium fast Trench IGBT (Infineon)
- CAL4 = Soft switching 4th generation CAL-diode
- Integrated gate resistor
- For higher switching frequencies up to 12kHz
- UL recognized, file number E63532
Applikasjoner
Power Management, Maintenance & Repair
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
175°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
313A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.8V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 Fast [Trench]
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SKM200GB12T4
3 produkter funnet
Tilknyttede produkter
4 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Slovak Republic
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.18
Produktsporbarhet