Skriv ut side
GD150HFY120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
18 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 656,510 |
| 5+ | kr 617,600 |
| 10+ | kr 573,000 |
| 50+ | kr 552,060 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 656,51 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTARPOWER
Produsentens varenummerGD150HFY120C1S
Varenummer2986061
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current230A
Continuous Collector Current230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2V
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation746W
Power Dissipation Pd746W
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktoversikt
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Power Dissipation Pd
746W
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
230A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2V
Power Dissipation
746W
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (1)
Alternativer for GD150HFY120C1S
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.152861