Skriv ut side
GD75HFU120C1S
IGBT Module, Half Bridge, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
Produseres ikke lenger
Produktinformasjon
ProdusentSTARPOWER
Produsentens varenummerGD75HFU120C1S
Varenummer3912066
Teknisk datablad
IGBT ConfigurationHalf Bridge
DC Collector Current150A
Continuous Collector Current150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.1V
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation658W
Power Dissipation Pd658W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT IGBT [Standard]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Alternativer for GD75HFU120C1S
1 produkt funnet
Tekniske spesifikasjoner
IGBT Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Power Dissipation Pd
658W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
DC Collector Current
150A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.1V
Power Dissipation
658W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
NPT IGBT [Standard]
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.15