Skriv ut side
STD13NM60ND
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTD13NM60ND
Varenummer3129734RL
ProduktsortimentFDmesh II
Teknisk datablad
3 384 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 22,190 |
| 500+ | kr 20,460 |
| 1000+ | kr 20,000 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 5
kr 2 259,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTD13NM60ND
Varenummer3129734RL
ProduktsortimentFDmesh II
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.38ohm
On Resistance Rds(on)0.32ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation109W
Power Dissipation Pd109W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeFDmesh II
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.38ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
109W
No. of Pins
3Pins
Product Range
FDmesh II
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
11A
On Resistance Rds(on)
0.32ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
109W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for STD13NM60ND
6 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00035
Produktsporbarhet