Skriv ut side
STD96N3LLH6
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTD96N3LLH6
Varenummer3367029RL
ProduktsortimentSTripFET VI DeepGATE
Teknisk datablad
14 422 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 7,950 |
| 500+ | kr 6,390 |
| 1000+ | kr 6,080 |
| 5000+ | kr 5,760 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 835,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTD96N3LLH6
Varenummer3367029RL
ProduktsortimentSTripFET VI DeepGATE
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0042ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation70W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSTripFET VI DeepGATE
Qualification-
Produktoversikt
STD96N3LLH6 is a N-channel power MOSFET that utilizes the 6th generation of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. Applications include switching applications, automotive.
- Extremely low on-resistance RDS(on), high avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
- 30V minimum drain-source breakdown voltage (ID = 250µA, VGS= 0, TCASE = 25°C)
- 0.0042ohm maximum static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 40A, TCASE = 25°C)
- 80A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 1 to 2.5V gate threshold voltage range (VDS = VGS, ID = 250µA, TCASE = 25°C)
- 2200pF typical input capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 400pF typical output capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- 280pF typical reverse transfer capacitance (VDS = 25V, f=1MHz, VGS = 0, TCASE = 25°C)
- DPAK package
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
70W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0042ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STripFET VI DeepGATE
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00033
Produktsporbarhet