Skriv ut side
STW20NK50Z
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTW20NK50Z
Varenummer9803890
ProduktsortimentSTW
Teknisk datablad
1 339 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 52,050 |
| 10+ | kr 24,720 |
| 100+ | kr 22,950 |
| 500+ | kr 22,360 |
| 1000+ | kr 21,770 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 52,05 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSTW20NK50Z
Varenummer9803890
ProduktsortimentSTW
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.75V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeSTW
Qualification-
Produktoversikt
The STW20NK50Z is a 500V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
- Extremely high dv/dt capability
- 100% Avalanche tested
- Gate charge minimized
- Very low intrinsic capacitance
Applikasjoner
Industrial
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.75V
No. of Pins
3Pins
Product Range
STW
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.004309
Produktsporbarhet