Skriv ut side
XP231N02015R-G
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentTOREX
Produsentens varenummerXP231N02015R-G
Varenummer3577868RL
ProduktsortimentXP231N0201xx-G
Teknisk datablad
5 235 På Lager
Trenger du mer?
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 850,00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 500+ | kr 1,070 |
| 1000+ | kr 1,020 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 500
Flere: 5
kr 575,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentTOREX
Produsentens varenummerXP231N02015R-G
Varenummer3577868RL
ProduktsortimentXP231N0201xx-G
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id200mA
On Resistance Rds(on)3ohm
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.3V
Power Dissipation350mW
Power Dissipation Pd350mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeXP231N0201xx-G
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
3ohm
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
350mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
XP231N0201xx-G
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.3V
Power Dissipation Pd
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Japan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Japan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001