Skriv ut side
BPW76A
Phototransistor, 850 nm, 40 °, 250 mW, 3 Pins, TO-18
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
802 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 40,510 |
| 10+ | kr 29,790 |
| 25+ | kr 27,670 |
| 50+ | kr 25,550 |
| 100+ | kr 23,430 |
| 500+ | kr 20,610 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 40,51 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktoversikt
The BPW76A is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for visible and near infrared radiation.
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Fast response times
- Base terminal connected
- Flat glass window
- ±40° Angle of half sensitivity
Applikasjoner
Sensing & Instrumentation
Tekniske spesifikasjoner
Wavelength Typ
850nm
Power Consumption
250mW
Transistor Case Style
TO-18
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Viewing Angle
40°
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000388
Produktsporbarhet