Skriv ut side
IRF644PBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
2 706 På Lager
1 000 Du kan reservere varen nå
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 18,690 |
| 10+ | kr 12,580 |
| 100+ | kr 12,460 |
| 500+ | kr 12,340 |
| 1000+ | kr 9,870 |
| 5000+ | kr 9,020 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 18,69 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerIRF644PBF
Varenummer8648409
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.28ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The IRF644PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rated
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Applikasjoner
Industrial, Power Management, Commercial
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.28ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for IRF644PBF
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002
Produktsporbarhet