Skriv ut side
IRFI820GPBF
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
474 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 17,820 |
| 10+ | kr 11,610 |
| 100+ | kr 11,380 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 17,82 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerIRFI820GPBF
Varenummer8649006
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id2.1A
Drain Source On State Resistance3ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation30W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (19-Jan-2021)
Produktoversikt
The IRFI820GPBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The FULLPAK eliminates the need for additional insulating hardware. The moulding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heat sink. The isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard product. The FULLPAK is mounted to a heat sink using a single clip or by a single screw fixing.
- Isolated package
- 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) High voltage isolation
- 4.8mm Sink to lead creepage distance
- Dynamic dV/dt rating
- Low thermal resistance
Applikasjoner
Industrial, Power Management, Commercial
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.1A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
3ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (4)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002