Skriv ut side
IRL520PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Through Hole
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
1 654 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 17,470 |
| 10+ | kr 15,860 |
| 100+ | kr 9,960 |
| 500+ | kr 7,920 |
| 1000+ | kr 7,270 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 17,47 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerIRL520PBF
Varenummer9102744
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage5V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Alternativer for IRL520PBF
1 produkt funnet
Produktoversikt
The IRL520PBF is a third generation N-channel enhancement-mode Power MOSFET comes with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is universally preferred for power dissipation levels to approximately 50W. The low thermal resistance of the package contributes to its wide acceptance throughout the industry.
- Dynamic dV/dt rating
- -55 to 175°C Operating temperature range
- Repetitive avalanche rated
- Logic-level gate drive
- Ease of paralleling
- RDS (ON) Specified at VGS = 4 and 5V
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.2A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
5V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (19-Jan-2021)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (19-Jan-2021)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.002
Produktsporbarhet