Skriv ut side
SI1025X-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
16 283 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 6,360 |
| 10+ | kr 4,400 |
| 100+ | kr 3,180 |
| 500+ | kr 2,350 |
| 1000+ | kr 1,800 |
| 5000+ | kr 1,660 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 6,36 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI1025X-T1-GE3
Varenummer2335271
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel190mA
Continuous Drain Current Id P Channel190mA
Drain Source On State Resistance N Channel4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSC-89
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel250mW
Power Dissipation P Channel250mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The SI1025X-T1-GE3 is a P-channel MOSFET designed for use with relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories and transistor driver, battery operated systems, power supply converter circuits and solid state relay applications. It offers ease in driving switches, low offset voltage, low-voltage operation, high-speed circuits, easily driven without buffer and small board area.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- High-side switching
- 4Ω Low ON-resistance
- 2V Low threshold
- 20ns Fast switching speed
- 23pF Low input capacitance
- Miniature package
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
190mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
250mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
190mA
Drain Source On State Resistance N Channel
4ohm
Transistor Case Style
SC-89
Power Dissipation N Channel
250mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.0005
Produktsporbarhet