Skriv ut side
SI2301CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
410 390 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 2,930 |
| 500+ | kr 2,200 |
| 1000+ | kr 1,710 |
| 5000+ | kr 1,540 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 5
kr 333,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI2301CDS-T1-GE3
Varenummer1779260RL
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.6W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktoversikt
The SI2301CDS-T1-GE3 is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SI2301CDS-T1-GE3
3 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000109