Skriv ut side
SI2369BDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7.5 A, 0.027 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI2369BDS-T1-GE3
Varenummer3263505RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
9 775 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 3,010 |
| 500+ | kr 2,270 |
| 1500+ | kr 2,030 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 5
kr 341,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI2369BDS-T1-GE3
Varenummer3263505RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.5A
On Resistance Rds(on)0.0225ohm
Drain Source On State Resistance0.027ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0225ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.5A
Drain Source On State Resistance
0.027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SI2369BDS-T1-GE3
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.004
Produktsporbarhet