Skriv ut side
SI2387DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 3 A, 0.164 ohm, SOT-23, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI2387DS-T1-GE3
Varenummer3765809
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
11 803 På Lager
12 000 Du kan reservere varen nå
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 6,190 |
| 50+ | kr 4,440 |
| 100+ | kr 2,440 |
| 500+ | kr 2,150 |
| 1500+ | kr 1,820 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 5
Flere: 5
kr 30,95 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI2387DS-T1-GE3
Varenummer3765809
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.164ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
- P-channel 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV P-channel power MOSFET
- 100 % Rg and UIS tested
- Applications include load switch, circuit protection and motor drive control
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.164ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001
Produktsporbarhet