Skriv ut side
SI7431DP-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 2.2 A, 0.174 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
4 692 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 26,850 |
| 500+ | kr 24,850 |
| 1000+ | kr 24,020 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 2 725,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI7431DP-T1-GE3
Varenummer1858973RL
Teknisk datablad
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.174ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation5.4W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
The SI7431DP-T1-GE3 is a 200VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for active clamp in intermediate DC-to-DC power supply applications.
- Ultra-low ON-resistance
- Low thermal resistance PowerPAK® package with small size and low 1.07mm profile
- 100% Rg tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applikasjoner
Industrial, Power Management
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.174ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SI7431DP-T1-GE3
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Israel
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000186
Produktsporbarhet