Skriv ut side
SI7540ADP-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 8 A, 8 A, 0.0115 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI7540ADP-T1-GE3
Varenummer2707201
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
121 272 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
.
.
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 25,320 |
| 10+ | kr 16,250 |
| 100+ | kr 11,210 |
| 500+ | kr 8,280 |
| 1000+ | kr 8,070 |
| 5000+ | kr 6,740 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 25,32 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSI7540ADP-T1-GE3
Varenummer2707201
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel8A
Continuous Drain Current Id P Channel8A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0115ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
N- and P-channel 20V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converters, synchronous buck converter, synchronous rectifier, load switch and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFET
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
8A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0115ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
8A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.00001