Skriv ut side
SIZ980BDT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 197 A, 197 A, 817 µohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSIZ980BDT-T1-GE3
Varenummer3368951RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Teknisk datablad
11 794 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 100+ | kr 10,470 |
| 500+ | kr 7,670 |
| 1000+ | kr 6,940 |
| 5000+ | kr 6,020 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 100
Flere: 1
kr 1 087,00 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSIZ980BDT-T1-GE3
Varenummer3368951RL
ProduktsortimentTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id197A
Continuous Drain Current Id N Channel197A
Continuous Drain Current Id P Channel197A
Drain Source On State Resistance N Channel817µohm
Drain Source On State Resistance P Channel817µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel66W
Power Dissipation P Channel66W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Produktoversikt
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
197A
Continuous Drain Current Id P Channel
197A
Drain Source On State Resistance P Channel
817µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
66W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
197A
Drain Source On State Resistance N Channel
817µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
66W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SIZ980BDT-T1-GE3
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Taiwan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet