Skriv ut side
SIZ998DT-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 0.0022 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSIZ998DT-T1-GE3
Varenummer2802799
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
11 484 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 22,070 |
| 10+ | kr 14,480 |
| 100+ | kr 9,900 |
| 500+ | kr 7,230 |
| 1000+ | kr 6,560 |
| 5000+ | kr 5,890 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 22,07 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerSIZ998DT-T1-GE3
Varenummer2802799
ProduktsortimentTrenchFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0022ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0022ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0022ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0022ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for SIZ998DT-T1-GE3
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Hong Kong
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Hong Kong
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.006
Produktsporbarhet