Skriv ut side
TSHF6410
Infrared Emitter, High Speed, 890 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 30 mW/Sr, 30 ns, 30 ns
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
3 679 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 7,120 |
| 10+ | kr 4,940 |
| 25+ | kr 4,490 |
| 50+ | kr 4,040 |
| 100+ | kr 3,590 |
| 500+ | kr 2,980 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 7,12 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerTSHF6410
Varenummer1779672
Teknisk datablad
Peak Wavelength890nm
Angle of Half Intensity22°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)30mW/Sr
Rise Time30ns
Fall Time tf30ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.4V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product Range-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktoversikt
The TSHF6410 is a 890nm Infrared Emitting Diode in GaAlAs double hetero (DH) technology. It is moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in infrared high speed remote control and free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements, transmission systems according to IrDA requirements and for carrier frequency based systems (e.g. ASK/FSK - coded, 450KHz or 1.3MHz).
- High speed
- High reliability
- High radiant power
- High radiant intensity
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
- 12MHz High modulation bandwidth (fc)
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
Peak Wavelength
890nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
30ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Angle of Half Intensity
22°
Radiant Intensity (Ie)
30mW/Sr
Fall Time tf
30ns
Forward Voltage VF Max
1.4V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for TSHF6410
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.010433
Produktsporbarhet