Skriv ut side
TSHG6210
Infrared Emitter, 850 nm, 10 °, T-1 3/4 (5mm), 230 mW/Sr, 20 ns, 13 ns
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerTSHG6210
Varenummer1779677
ProduktsortimentGaAlAs Double Hetero IR Diode
Teknisk datablad
256 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 5+ | kr 12,990 |
| 10+ | kr 9,170 |
| 100+ | kr 6,830 |
Pris for:Each
Minst: 5
Flere: 5
kr 64,95 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentVISHAY
Produsentens varenummerTSHG6210
Varenummer1779677
ProduktsortimentGaAlAs Double Hetero IR Diode
Teknisk datablad
Peak Wavelength850nm
Angle of Half Intensity10°
Diode Case StyleT-1 3/4 (5mm)
Radiant Intensity (Ie)230mW/Sr
Rise Time20ns
Fall Time tf13ns
Forward Current If(AV)100mA
Forward Voltage VF Max1.8V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Automotive Qualification Standard-
Product RangeGaAlAs Double Hetero IR Diode
MSL-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produktoversikt
The TSHG6210 is an infrared, 850nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, moulded in a clear, untinted plastic package. It is suitable for use in Infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission and smoke-automatic fire detectors.
- Package form: T-1¾
- Dimensions (in mm): Ø 5
- Peak wavelength: λp = 850nm
- High radiant intensity
- Angle of half intensity: ϕ = ±10°
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- High modulation bandwidth: fc = 18MHz
- Good spectral matching with CMOS cameras
Tekniske spesifikasjoner
Peak Wavelength
850nm
Diode Case Style
T-1 3/4 (5mm)
Rise Time
20ns
Forward Current If(AV)
100mA
Operating Temperature Min
-40°C
Automotive Qualification Standard
-
MSL
-
Angle of Half Intensity
10°
Radiant Intensity (Ie)
230mW/Sr
Fall Time tf
13ns
Forward Voltage VF Max
1.8V
Operating Temperature Max
85°C
Product Range
GaAlAs Double Hetero IR Diode
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Teknisk dokumentasjon (3)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000499