Skriv ut side
WG40N120UFW1Q
IGBT, 80 A, 1.75 V, 750 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
237 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 62,880 |
| 10+ | kr 41,800 |
| 100+ | kr 33,210 |
| 500+ | kr 29,440 |
| 1000+ | kr 29,200 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 62,88 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentWEEN SEMICONDUCTORS
Produsentens varenummerWG40N120UFW1Q
Varenummer4697768
Teknisk datablad
Continuous Collector Current80A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation750W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
WG40N120UFW1Q is an IGBT. It uses advanced Fine Trench Field-stop IGBT technology with anti-parallel diode. This device is part of the ultra-fast series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converter. Typical applications include solar inverter, UPS, welding converters, PFC and mid to high switching frequency applications.
- Ultra-fast switching series, EMI improved design
- Positive temperature efficient for easy parallel operating
- Very soft, fast recovery anti-parallel diode
- Collector-emitter breakdown voltage is 1200V min at VGE = 0V; IC = 1mA
- Diode forward voltage is 2.15V typ at VGE = 0V; IF = 40A; Tj = 25°C
- Zero gate voltage collector current is 250μA max at VCE = 1200V; VGE = 0V; Tj = 25°C
- Gate charge is 210nC typ at VCC = 960V; IC = 40A; VGE = 15V;Tj = 25°C
- Turn-off delay time is 146nS typ at Tj = 25°C;VCC = 600V; IC = 40A; VGE = 15V / 0V;RG = 3.6ohm
- TO247 package
- Maximum operating junction temperature is 175°C
Tekniske spesifikasjoner
Continuous Collector Current
80A
Power Dissipation
750W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Informasjon kommer
RoHS-samsvar angående ftalater:Informasjon kommer
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001