Skriv ut side
FF3MR20W3M1HH11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 275 A, 2 kV, 4100 µohm, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Varenummer4694663
ProduktsortimentEasyPACK Series
Også kjent somFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Teknisk datablad
11 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 6 252,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 6 252,00 (eks. MVA)
linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerFF3MR20W3M1HH11BPSA1
Varenummer4694663
ProduktsortimentEasyPACK Series
Også kjent somFF3MR20W3M1H_H11, SP006049702
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id275A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance4100µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins52Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
FF3MR20W3M1HH11BPSA1 is an EasyPACK™ module with CoolSiC™ Trench MOSFET and High Current Pin / NTC. Potential applications include energy storage systems (ESS), EV charging, UPS systems, and solar applications.
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068
- Low switching losses, high current density
- High current pin, PressFIT contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps, integrated NTC temperature sensor
- Drain-source voltage is 2000V at Tvj = 25°C
- Continuous DC drain current is 275A at Tvj = 175°C, VGS = 18V, TH = 65°C
- Repetitive peak drain current is 640A ( verified by design, tp limited by Tvjmax)
- Drain-source on-resistance is 2.6mohm typ at VGS = 18V, Tvj = 25°C, ID = 320A
- Total gate charge is 1.56 µC typ at VDD = 1200V, VGS = -3/18V, Tvj = 25°C
- Storage temperature range from -40 to 125°C
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
275A
Drain Source On State Resistance
4100µohm
No. of Pins
52Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85365080
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000001
Produktsporbarhet