Skriv ut side
IMBG120R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIMBG120R026M2HXTMA1
Varenummer4376962
ProduktsortimentCoolSiC Gen 2 Series
Også kjent somIMBG120R026M2H, SP005825849
Teknisk datablad
Emballasjealternativer
487 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 142,960 |
| 5+ | kr 124,240 |
| 10+ | kr 105,390 |
| 50+ | kr 99,980 |
| 100+ | kr 94,560 |
| 250+ | kr 92,680 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 142,96 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIMBG120R026M2HXTMA1
Varenummer4376962
ProduktsortimentCoolSiC Gen 2 Series
Også kjent somIMBG120R026M2H, SP005825849
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.0254ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation335W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
75A
Drain Source On State Resistance
0.0254ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
335W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001
Produktsporbarhet