Skriv ut side
IMBG65R050M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIMBG65R050M2HXTMA1
Varenummer4378736
ProduktsortimentCoolSiC Gen 2 Series
Også kjent somIMBG65R050M2H, SP005917208
Teknisk datablad
Emballasjealternativer
746 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 81,140 |
| 5+ | kr 69,830 |
| 10+ | kr 58,410 |
| 50+ | kr 52,170 |
| 100+ | kr 45,930 |
| 250+ | kr 44,980 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 1
Flere: 1
kr 81,14 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentINFINEON
Produsentens varenummerIMBG65R050M2HXTMA1
Varenummer4378736
ProduktsortimentCoolSiC Gen 2 Series
Også kjent somIMBG65R050M2H, SP005917208
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.046ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation172W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
41A
Drain Source On State Resistance
0.046ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
172W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Malaysia
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.001
Produktsporbarhet