Skriv ut side
IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN80N50
Varenummer7348029
ProduktsortimentHiPerFET Series
Teknisk datablad
84 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 635,650 |
| 5+ | kr 603,880 |
| 10+ | kr 461,620 |
| 50+ | kr 449,290 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 635,65 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentIXYS SEMICONDUCTOR
Produsentens varenummerIXFN80N50
Varenummer7348029
ProduktsortimentHiPerFET Series
Teknisk datablad
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation Pd780W
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleISOTOP
No. of Pins4Pins
Qualification-
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktoversikt
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Applikasjoner
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
Tekniske spesifikasjoner
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
780W
Transistor Case Style
ISOTOP
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
780W
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Germany
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.234507