Skriv ut side
NVBG020N120SC1
Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerNVBG020N120SC1
Varenummer3265484RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
717 På Lager
Trenger du mer?
GRATIS Standard levering tilgjengelig
for bestillinger over kr 0,00
EKSPRESS-levering tilgjengelig
Bestill før kl. 17.00
nøyaktige leveringstider vil bli beregnet i kassen
| Antall | |
|---|---|
| 10+ | kr 388,720 |
| 50+ | kr 380,950 |
Pris for:Each (Supplied on Cut Tape)
Minst: 10
Flere: 1
kr 3 927,20 (eks. MVA)
En kr 40,00 re-reeling-kostnad vil påløpe for dette produktet
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentONSEMI
Produsentens varenummerNVBG020N120SC1
Varenummer3265484RL
ProduktsortimentEliteSiC Series
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id98A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation468W
Power Dissipation Pd468W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktoversikt
NVBG020N120SC1 is a silicon carbide (SiC) MOSFET. Typical applications are automotive on board charger, automotive DC-DC converter for EV/HEV.
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 100% avalanche tested
- Low effective output capacitance (typ. Coss= 258pF)
- Drain-to-source voltage is 1200V at TJ = 25°C
- Continuous drain current is 98A at TC = 25°C
- Power dissipation is 3.7W at TC = 25°C
- Single pulse surge drain current capability is 807A at TA = 25°C, tp = 10µs, RG = 4.7ohm
- Operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
- D2PAK-7L package
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
468W
Product Range
EliteSiC Series
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
98A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
468W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.000024
Produktsporbarhet