Skriv ut side
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
4 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Antall | |
---|---|
1+ | kr 6 074,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 6 074,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentROHM
Produsentens varenummerBSM450D12P4G102
Varenummer4168759
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id447A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance-
Transistor Case StyleModule
No. of Pins11Pins
Rds(on) Test Voltage-
Gate Source Threshold Voltage Max4.8V
Power Dissipation1.45kW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
447A
Drain Source On State Resistance
-
No. of Pins
11Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.8V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
-
Power Dissipation
1.45kW
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Japan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Japan
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.394
Produktsporbarhet