Skriv ut side
MD300HFR120C2S
Silicon Carbide MOSFET, Silicon Carbide, Half Bridge, Dual N Channel, 381 A, 1.2 kV, 0.005 ohm
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
1 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Antall | |
---|---|
1+ | kr 8 762,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 8 762,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTARPOWER
Produsentens varenummerMD300HFR120C2S
Varenummer2986057
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id381A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins-
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktoversikt
Starpower IGBT Modules and Arrays provide ultra low conduction loss as well as short circuit ruggedness. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. With key features of Trench IGBT technology, maximum junction temperature 175°C and an Isolated copper baseplate using DBC technology.
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
381A
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
No. of Pins
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (1)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:To Be Advised
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.453592