Skriv ut side
SCTW100N65G2AG
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
331 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 486,610 |
| 5+ | kr 425,740 |
| 10+ | kr 352,820 |
| 50+ | kr 316,290 |
| 100+ | kr 291,940 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 486,61 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentSTMICROELECTRONICS
Produsentens varenummerSCTW100N65G2AG
Varenummer3387273
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.02ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation420W
Operating Temperature Max200°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktoversikt
SCTW100N65G2AG is an automotive-grade silicon carbide power MOSFET. This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
- AEC-Q101 qualified
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- 650V drain-source voltage
- 100A drain current (continuous) at TC = 25°C
- 420W total power dissipation at TC = 25°C
- HiP247 package
- Operating junction temperature range from -55 to 200°C
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.02ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
Operating Temperature Max
200°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
420W
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (2)
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.0045
Produktsporbarhet