Kontakt meg når varen er tilbake på lager
Antall | |
---|---|
1+ | kr 323,150 |
5+ | kr 317,740 |
10+ | kr 312,230 |
50+ | kr 270,610 |
100+ | kr 229,000 |
Produktinformasjon
Produktoversikt
The C2M0080120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.
- Drain to source voltage (Vds) of 1.2kV
- Continuous drain current of 36A
- Power dissipation of 192W
- Operating junction temperature of -55°C to 150°C
- Low on state resistance of 80mohm at Vgs of 20V
Applikasjoner
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Motor Drive & Control, Alternative Energy
Tekniske spesifikasjoner
Single
31.6A
0.08ohm
3Pins
3.2V
150°C
-
N Channel
1.2kV
TO-247
20V
208W
-
No SVHC (17-Dec-2014)
Teknisk dokumentasjon (2)
Alternativer for C2M0080120D
2 produkter funnet
Tilknyttede produkter
3 produkter funnet
Lovgivning og miljø
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
RoHS
RoHS
Sertifikat for produktsamsvar