Skriv ut side

C2M0080120D

Name: Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
Brand: WOLFSPEED
SKU: 2361496
Availability: OutOfStock

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247

Date/Lot Code

Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.

ProdusentWOLFSPEED

Produsentens varenummerC2M0080120D

Varenummer2361496

Teknisk datablad

Data Sheet

Se alle tekniske dokumenter

Tilgjengelig for bestilling

Produsentens standard leveringstid: 24 uke(r)

Kontakt meg når varen er tilbake på lager

Antall
1+	kr 323,150
5+	kr 317,740
10+	kr 312,230
50+	kr 270,610
100+	kr 229,000

Pris for:Each

Minst: 1

Flere: 1

kr 323,15 (eks. MVA)

Legg til delenr. / linjemerknad

Artikkelmerknad

Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.

Ditt delenummer

Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.

Produktinformasjon

ProdusentWOLFSPEED

Produsentens varenummerC2M0080120D

Varenummer2361496

Teknisk datablad

Data Sheet

MOSFET Module ConfigurationSingle

Channel TypeN Channel

Continuous Drain Current Id31.6A

Drain Source Voltage Vds1.2kV

Drain Source On State Resistance0.08ohm

Transistor Case StyleTO-247

No. of Pins3Pins

Rds(on) Test Voltage20V

Gate Source Threshold Voltage Max3.2V

Power Dissipation208W

Operating Temperature Max150°C

Product Range-

MSL-

SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)

Produktoversikt

The C2M0080120D from Cree is a 2nd generation Z-FET, through hole N channel silicon carbide power MOSFET in TO-247 package. This MOSFET features C2M SiC MOSFET technology, high blocking voltage with low On resistance, high speed switching with low capacitances, easy to parallel and simple to drive, avalanche ruggedness, resistant to latch up, higher system efficiency, reduced cooling requirements and increased power density. Applications include solar inverters, switch mode power supplies, high voltage DC-DC converters and battery chargers.

Drain to source voltage (Vds) of 1.2kV
Continuous drain current of 36A
Power dissipation of 192W
Operating junction temperature of -55°C to 150°C
Low on state resistance of 80mohm at Vgs of 20V

Applikasjoner

Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial, Motor Drive & Control, Alternative Energy

Tekniske spesifikasjoner

MOSFET Module Configuration

Single

Continuous Drain Current Id

31.6A

Drain Source On State Resistance

0.08ohm

No. of Pins

3Pins

Gate Source Threshold Voltage Max

3.2V

Operating Temperature Max

150°C

MSL

Channel Type

N Channel

Drain Source Voltage Vds

1.2kV

Transistor Case Style

TO-247

Rds(on) Test Voltage

20V

Power Dissipation

208W

Product Range

SVHC

No SVHC (17-Dec-2014)

Teknisk dokumentasjon (2)

EOL Notices EN

Technical Data Sheet EN

Alternativer for C2M0080120D

2 produkter funnet

Tilknyttede produkter

3 produkter funnet

Lovgivning og miljø

Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:Philippines
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt

Tariffnr.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Y-Ex

RoHS

RoHS-samsvar angående ftalater:Ja

RoHS

SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)

Last ned sertifikat for produktsamsvar

Sertifikat for produktsamsvar

Vekt (kg):.008777

Produktsporbarhet