Skriv ut side
CCS050M12CM2
Silicon Carbide MOSFET, 6 Pack, Half Bridge, N Channel, 87 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, Module
Bildet er bare ment som illustrasjon. Se produktbeskrivelsen.
138 På Lager
Trenger du mer?
1–3 virkedagers levering
Bestilling før 17:00 standard forsendelse
Tilgjengelig til lageret er tomt
| Antall | |
|---|---|
| 1+ | kr 4 497,000 |
Pris for:Each
Minst: 1
Flere: 1
kr 4 497,00 (eks. MVA)
Legg til delenr. / linjemerknad
Lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen og følgeseddelen kun for denne bestillingen.
Dette antallet blir lagt til bestillingsbekreftelsen, fakturaen, følgeseddelen, bekreftelses-e-posten og produktetiketten.
Produktinformasjon
ProdusentWOLFSPEED
Produsentens varenummerCCS050M12CM2
Varenummer2317992
Teknisk datablad
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id87A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins20Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation337W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2014)
Produktoversikt
The CCS050M12CM2 is a 3-phase silicon Carbide Module with zero turn-off tail current, high frequency operation, enables compact and lightweight system, high efficiency operation. Suitable for Z-FET™ MOSFET and Z-Rec™ diode.
- Ultra low loss
- Zero reverse recovery current
- Ease of transistor gate control
- Reduced cooling requirements
- 250A Pulsed drain current
- 150°C Junction temperature
Applikasjoner
Power Management, Motor Drive & Control, Alternative Energy, Medical
Advarsler
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Tekniske spesifikasjoner
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
87A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
20Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2014)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
337W
Product Range
-
Teknisk dokumentasjon (3)
Tilknyttede produkter
1 produkt funnet
Lovgivning og miljø
Opprinnelsesland:
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortattOpprinnelsesland:China
Land der forrige produksjonsprosess av betydning ble fortatt
Tariffnr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Overholdelse av begrensning av farlige stoffer:Ja
RoHS
RoHS-samsvar angående ftalater:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2014)
Last ned sertifikat for produktsamsvar
Sertifikat for produktsamsvar
Vekt (kg):.329308